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91porn telegram 三星冲刺1nm工艺硬刚台积电,2029年量产,剑指AI芯片爆发


发布日期:2025-04-12 16:05    点击次数:144

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智东西

编译 |  梁颖琳

剪辑 |  云鹏

智东西4月10日音信,据《首尔经济日报》报谈,三星电子近日书记起始“梦思制程(꿈의 반도체 공정)”1nm芯片研发,预测2029年后达成量产,旨在通过颠覆性时期突破追逐台积电(TSMC)。

三星电子正在为下一代半导体时期发起总攻,这艳丽着韩国巨头正在向比2nm更先进的制程时期迈进。尽管现时在3nm、2nm节点过期于台积电,但三星谋略通过颠覆性时期阶梯在2029年后达成1nm工艺量产,认识直指AI芯片市集的爆发式增长需求。

一、冲突策画框架:1纳米节点的时期变嫌

1nm节点需要透澈突破现存芯片策画框架,触及高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)等下一代开辟的全面导入。

三星里面已将部分参与2nm研发的工程师调任至1nm姿色组,裸走漏对该姿色的计策疼爱。

现在三星公开的最新制程阶梯图裸露,2027年谋略量产的1.4nm工艺仍是其起先进节点,而台积电已于客岁书记将在2026年下半年起始1.6nm工艺量产,时期代差仍客不雅存在。

二、制程良率差距拉大,三星加快时期解围

三星在3nm和2nm工艺上与台积电存在时期差距,台积电的2nm工艺良率一经疏淡60%,而三星的良率相对较低。

三星电子副会长李在镕上月十分强调“继承时期优先传统”,条件处置层“用寰球不存在的时期创造以前”。

这一表态被解读为对制程竞赛受挫的危急应酬,亦然鼓吹1nm提前研发的径直动因。

此外,三星还在加大研发参加,谋略引入高数值孔径EUV光刻开辟,以期在1nm制程上达成时期突破,从而在以前的AI芯片市齐集从头配置最初地位。

三、AI芯倏得间竞赛下,时期代差成新筹码

跟着AI检修算力需求每6个月翻倍,芯片制程的突破成为决定性身分。

台积电通过新增1.6nm节点霸占过渡期市集,而三星采用径直跳动至1nm,试图通过时期代差达成弯谈超车。

三星代工行状部新任社长韩进满近期密集走访DeepX等原土AI芯片初创企业,裸露其正加快构建产业协同。

结语:制程创新能否重塑竞争阵势?

从现时3nm节点的良率差距,到2nm节点可能扩大的时期代差,三星的1nm计策既是时期追逐,亦然旅途重塑。

高数值孔径EUV开辟的引入将使单片晶圆本钱显赫加多,这种“烧钱式”时期竞赛可能重塑众人代工市集阵势。

关于AI芯片开发商而言,制程节点的突破不仅是性能教育,更是决定以前算力生态的枢纽变量。

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当台积电在2026年起始1.6nm量产时,三星能否在2029年用1nm工艺扭转战局,这场时期竞走的输赢或将在以前三年见分晓。

源泉:首尔经济日报、Samsung Newsroom91porn telegram



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